Científicos han identificado dos formas inesperadas de desorden en semiconductores bidimensionales avanzados, que podrían alterar significativamente sus propiedades ópticas. La investigación, centrada en materiales ultrafinos con estructuras tipo moiré, revela que pequeñas irregularidades emergen en distintas escalas espaciales y modulan cómo estos semiconductores emiten luz.
Los expertos descubrieron una forma de desorden a gran escala que abarca amplias zonas del material, influyendo de manera generalizada en sus características. Además, detectaron otra tipología de desorden, localizada alrededor de diminutos defectos atómicos, que actúa de forma más puntual pero intensa. Esta doble naturaleza del desorden, hasta ahora oculta, representa un reto y una oportunidad para el diseño de dispositivos electrónicos y fotónicos basados en estos semiconductores de nueva generación.
Para revelar estas formas sutiles de desorden, los investigadores utilizaron técnicas avanzadas de mapeo y modelado teórico que permitieron identificar y diferenciar las irregularidades espaciales en la estructura del material. Gracias a esta aproximación metodológica, lograron examinar cómo las variaciones en la estructura afectaban la emisión de luz a nivel microscópico. 
Estos hallazgos abren camino a un control más preciso de las propiedades electrónicas y ópticas de estos materiales, fundamentales para la fabricación de dispositivos como transistores ultra rápidos, láseres compactos y sensores altamente sensibles. Comprender y gestionar el desorden a distintas escalas podría ser clave para optimizar el rendimiento y la estabilidad de tecnologías emergentes basadas en semiconductores bidimensionales.
Además, esta investigación subraya la importancia de analizar no solo las características promedio del material, sino también las desviaciones locales que pueden tener efectos desproporcionados en sus funcionalidades. El desorden a pequeña escala en torno a defectos puntuales, por ejemplo, puede alterar significativamente la eficiencia luminosa, mientras que el desorden extendido puede jugar un papel en la conducción electrónica del conjunto.
Con este nuevo conocimiento, el campo de la ciencia de materiales está en una posición más sólida para diseñar semiconductores con propiedades personalizadas, lo que podría acelerar el desarrollo de la próxima generación de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos con menor consumo energético y mayor rendimiento.
